電子ビーム蒸着薄膜装置

電子ビーム蒸着薄膜装置

詳細
EBE-V600 シリーズは、光学部品、半導体デバイス、先端材料の精密な薄膜コーティング用に設計された産業規模の物理蒸着 (PVD) プラットフォームです。{{2}高エネルギーの磁気集束電子ビームを水冷るつぼ内の原料に照射することで、{6}システムはチャンバー壁からの熱負荷を隔離しながら急速な蒸発速度を実現します。
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電子ビーム蒸着薄膜装置
 
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説明
技術的なパラメーター

EBE-V600 シリーズは、光学部品、半導体デバイス、先端材料の精密な薄膜コーティング用に設計された産業規模の物理蒸着 (PVD) プラットフォームです。{{2}高エネルギーの磁気集束電子ビームを水冷るつぼ内の原料に照射することで、{6}システムはチャンバー壁からの熱負荷を隔離しながら急速な蒸発速度を実現します。


このアーキテクチャには、マルチポケット電子源とデュアル水晶マイクロバランス (QCM) センサーが組み込まれており、化学量論的な膜の忠実性と、多層誘電体または金属スタック全体での一貫した厚さ制御が保証されます。-

 

技術仕様

 

技術的パラメータ

仕様値

チャンバーの形状と材質

Φ600mm×600mmの円筒形容器。内部は SS304 電解研磨、外部冷却ウォーター ジャケット付き

究極の基本圧力

<= 5.0 x 10^-5 Pa (achieved via 12-hour bake-out and high-vacuum pumping)

ポンプダウンのサイクル時間-

<= 15 minutes (From atmosphere to 1.0 x 10^-3 Pa)

電子銃の出力

270 度のビーム偏向を備えた 6 kW ~ 12 kW マルチ-ポケット構成

るつぼ炉床容量

4 ~ 6 ポケット (交換可能な銅/グラファイトるつぼ、ポケットごとの容量 15cc ~ 40cc)

基板ステージ回転

0 ~ 30 RPM 可変速プラネタリーまたはダイレクトドライブ

基板加熱範囲

PID 閉ループ ハロゲン ランプ アレイ経由で周囲温度 600 度まで-

厚さの監視

自動シャッターフィードバック制御を備えたデュアル QCM センサー

 

主な特長


270 度磁気偏向 E- ガン:タングステン フィラメントを蒸気の直接経路から隔離し、短絡を防ぎ、メンテナンス間隔の動作寿命を延ばします。{0}}


デジタルスイープコントロール:プログラム可能なラスター パターンにより、電子エネルギーが蒸発物表面全体に均一に分散され、合金蒸着中のピンホールの形成と優先蒸発が軽減されます。


分離された真空アーキテクチャ:粗引きおよび高真空ポンプ ラインは、膜成長中の機械的振動の伝達を抑制するために、メイン チャンバー フレームから構造的に隔離されています。


ハードウェア インターロックの安全性マトリックス:-冷却水の流れ、高電圧フィードバック、空気圧、ドア シールの完全性をリアルタイム PLC モニタリングします。-

 

真空システム構成


真空サブ回路は、成長中の膜への残留ガス(H2O、O2、N2)の混入を最小限に抑えるために、高速サイクルと低ベース圧力向けに設計されています。


高-真空ポンプ:デュアルステージロータリーベーンポンプ(またはクリーンルーム準拠のドライスクロールポンプ構成)を備えた 1200 L/s ターボ分子ポンプ-。{2}}


遮断弁:空気圧で作動する高コンダクタンスのゲート バルブ。-負荷動作中にチャンバーを隔離します。


真空測定:大気から 10^-6 Pa までの連続範囲をカバーするピラニ電離計と冷陰極電離計を組み合わせたものです。

 

フィルム材料および基板

 

互換性のある蒸発源

酸化物と誘電体:SiO2、TiO2、Ta2O5、Al2O3、HfO2

純金属:Au、Ag、Al、Ti、Cr、Pt、Ni

半導体と導体:Si、Ge、ITO (インジウム錫酸化物)

 

アプリケーション


光干渉フィルター:狭帯域パス フィルタやレーザー ミラー用の高{0}}屈折率および低-屈折率の多層スタック堆積-。{3}}


半導体デバイスの製造:オーミックコンタクトの形成、ゲート酸化物の堆積、および金属シード層。


OLEDとディスプレイの研究:薄い金属陰極の堆積と多層有機/無機不動態化テスト。-


硬質耐火コーティング:機械部品や航空宇宙部品用の保護耐摩耗層-。

 

カスタマイズ


チャンバーの拡張:クラスターツールの統合に合わせて調整された拡張された容器の高さまたは長方形の形状。


ソースの統合:電子ビーム銃と組み合わせた同時熱蒸発源 (抵抗ボート)。


イオン-アシスト蒸着 (IAD):膜の緻密化と応力調整のためのエンドホールまたはカウフマンイオン源の統合。{0}


ソフトウェアアーキテクチャ:Siemens S7 または Beckhoff 自動化フレームワークに準拠した PLC/HMI レシピ プログラミング。

 

品質管理


質量分析計のヘリウムリークテスト:すべてのチャンバー溶接部は、組み込む前に拒否閾値 < 1 x 10^-9 Pa・m3/s までテストされます。


電気的コンプライアンス:-CE/UL ガイドラインに基づく高電圧絶縁耐力テストと接地導通検証。


工場受け入れテスト (FAT):72- 時間の連続ドライラン テストで、基本圧力曲線、電子ビーム掃引の再現性、インターロック応答時間を記録します。-テスト文書はユニットに同梱されています。

 

設置と技術サポート


サイトのコミッショニング:工場で認定されたエンジニアが、機械的な調整、真空漏れの検証、ユーティリティ接続の監視、初期校正の実行を管理します。-


技術トレーニング:フィラメントの交換、真空バルブの再構築、レシピの編集を含む、3- 日間のオンサイト運用およびメンテナンス プロトコル トレーニング。


ドキュメントの成果物:P&ID 回路図、電気配線図、PLC バックアップ ファイル、スペアパーツの明細などを含む完全なテクニカル バインダー。

 

よくある質問

 

Q: 電子銃のタングステン フィラメントの動作寿命はどれくらいですか?{0}また、メンテナンスはどのように行われますか?

A: 標準使用圧力下 (<= 10^-4 Pa) and clean source materials, filament lifespan averages 30 to 50 operational hours. A quick-access vacuum flange allows cartridge exchange within 20 minutes without venting the entire manifold.

Q: システムは酸化物の堆積中の吐き出しをどのように防ぐのですか?

A: デジタル スイープ ジェネレーターは、酸化物ペレット上の計算されたラスター マトリックス全体に電子エネルギーを分配します。これにより、局所的な過熱が排除され、爆発的な沸騰が防止され、微小液滴の噴出が抑制されます。-

Q: 設置場所ではどのようなユーティリティ インフラストラクチャが必須ですか?

A: Cooling Water: Supply pressure 0.25 MPa to 0.4 MPa, flow rate >= 30 L/min、温度 18 度~25 度。
電気グリッド: 3- 相、380V ± 10%、50/60 Hz (または地域の標準に合わせて工場で構成)。
圧縮空気: 空気圧バルブアクチュエータ用の 0.5 MPa ~ 0.7 MPa の乾燥空気。

Q: リモート診断アクセスは制御システムに統合されていますか?

A: はい。独立したイーサネット ポートは、エンジニアリング チームによるリモート PLC ログの取得とソフトウェアのトラブルシューティングのための安全な VPN 接続をサポートします。

 

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