高真空電子ビーム蒸着装置

高真空電子ビーム蒸着装置

詳細
EBE- シリーズ高真空電子ビーム蒸着システムは、光学、半導体、冶金用途向けの高純度薄膜を堆積します。-このシステムは、真空チャンバー内の原料物質に磁気的に集束した電子ビームを照射することにより、局所的な加熱と急速な蒸発を実現します。この方法は、るつぼの汚染を防ぎ、高融点金属と高純度誘電体を効果的に処理します。-
カテゴリー
電子ビーム蒸着薄膜装置
 
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説明
技術的なパラメーター

EBE- シリーズ高真空電子ビーム蒸着システムは、光学、半導体、冶金用途向けの高純度薄膜を堆積します。-このシステムは、真空チャンバー内の原料物質に磁気的に集束した電子ビームを照射することにより、局所的な加熱と急速な蒸発を実現します。この方法は、るつぼの汚染を防ぎ、高融点金属と高純度誘電体を効果的に処理します。-


ステンレス鋼チャンバーにはクライオポンプまたはターボ分子ポンプが組み込まれており、5 x 10^-5 Pa 未満のベース圧力に達して、膜成長中の残留ガスの取り込みを最小限に抑えます。

 

技術仕様

 

パラメータ

仕様

到達真空圧

< 5 x 10^-5 Pa (after 4-hour bake-out)

ポンプ-ダウンタイム

< 15 min to 1 x 10^-3 Pa (empty, clean chamber)

E-銃の出力定格

6 kW ~ 15 kW (掃引周波数最大 100 Hz)

E-銃の構成

4 ポケットまたは 6 ポケットの刃先交換式るつぼ (10 cc ~ 40 cc)

基板ホルダーのサイズ

直径 200 mm までの基板またはカスタム キャリア プレートに対応

基板回転速度

0 ~ 30 RPM (傾斜調整可能な可変速度)

膜厚均一性

半径 100 mm 全体で +/- 1% ~ +/- 2% (遊星治具)

チャンバー材質

304L ステンレス鋼 (電解研磨内面仕上げ、Ra < 0.2 um)

 

主な特長


直接電子ビーム加熱:{0}抵抗ボートの制限をバイパスします。タングステン、プラチナ、アルミナなどの高融点材料を溶かします。{0}


プログラム可能なビームスイープ:二軸電磁コイルは、蒸発物表面全体にビームを分散させ、クレーターを防ぎ、材料の均一な消費を保証します。


マルチ-ポケットのインデックス作成:水冷銅るつぼにより、真空を破ることなく連続多層堆積が可能です。{0}{1}


QCM レート監視:デュアル水晶センサーが堆積速度と膜厚を監視し、PLC/PID コントローラーに直接リンクします。


安全アーキテクチャ:ハードウェア インターロックにより、冷却水の故障、チャンバーの高圧、ドア シールの漏れを防ぎます。

 

真空システム構成


荒加工段階:ルーツブロワーと組み合わせたデュアルステージロータリーベーンポンプは、10 Pa までの高速粗引きを実現します。


高真空ステージ:ターボ分子ポンプ(1200 L/s ~ 2200 L/s)と閉ループ ヘリウム極低温ポンプを組み合わせたもので、空気圧ゲート バルブで隔離されています。{0}{3}


圧力監視:フルレンジのピラニ/冷陰極計は、大気から超高真空までのチャンバ圧力を追跡します。-


診断:KF および CF フランジ付きポートにはヘリウム漏れ検出器が取り付けられます。

 

フィルム材料および基板

 

サポートされている蒸発材料

金属:Ti、Cr、Al、Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Ta、W、Mo
誘電体: SiO2、TiO2、Ta2O5、Al2O3、ZrO2、HfO2

 

互換性のある基板

単結晶シリコンウェーハ(直径 100 mm ~ 直径 300 mm)-
光学ガラス、溶融石英、石英
アルミナ(Al2O3)および窒化アルミニウム(AlN)セラミックス
柔軟な金属箔とポリイミド フィルム(ロールツーロール モジュール経由)

アプリケーション


半導体製造:メタルゲートコンタクト、拡散バリア層、オーミックコンタクト (Ti/Pt/Au、Cr/Au)。


光干渉フィルター:交互の誘電体酸化物を使用した、レーザー ミラー、バンドパス フィルター、反射防止レンズ用の多層コーティング。-


太陽光発電の研究開発:ペロブスカイトおよび CIGS 太陽電池用の薄膜層。-


機能性コーティング:航空宇宙およびセンサーコンポーネントの保護金属酸化物層。

 

カスタマイズ


チャンバーの形状:大型のフラット パネルや 3D パーツに合わせてスケール調整された垂直または水平の円筒形チャンバー。


基板の修飾:イオンアシスト蒸着(IAD)および最大 600 ℃ までの基板ヒーター用の DC/RF バイアス。{0}


ロード-ロックの統合:シングル-またはデュアル-ウェーハ ロード- ロック チャンバーにより、高スループット実行中のポンプダウン サイクルを削減します。-


制御の統合:レシピの自動化、データロギング、SECS/GEM通信をサポートするカスタマイズされたPLC/SCADAスクリプト。

 

品質管理


ヘリウム質量分析計のリークテスト:チャンバーは工場で受け入れられる前に、1 x 10^-9 Pa*m^3/s 未満の閾値までテストされています。


電気的安全性の検証:-高電圧絶縁抵抗、接地導通、インターロックのテストは CE/IEC 規格に従って実行されます。


寸法検査:シール面とフランジの位置合わせを三次元測定機 (CMM) で検証します。


工場受け入れテスト (FAT):真空ポンプ、モーションアセンブリ、パワーユニットの72時間連続ドライランと完全なデータレポート。

 

設置と技術サポート


-現場での試運転:エンジニアは、チャンバーのレベリング、公共設備の接続 (水、電力、ガス、排気)、初期の真空ベークアウトを管理します。-


プロセス校正:技術サポートは、現場受け入れテスト (SAT) 中にベースラインの堆積速度と膜厚校正曲線を確立します。


スペアパーツの発送:重要な摩耗部品-フィラメント、るつぼ、QCM 結晶、真空シール-は現地に在庫されています。


リモート診断:安全な診断モジュールにより、リアルタイムの PLC ログの取得が可能になり、迅速なトラブルシューティングが可能になります。{0}

 

よくある質問

 

Q: 200 mm の基板全体の最大の厚さの均一性はどれくらいですか?

A: 遊星回転治具を使用した場合、厚さの均一性は直径 200 mm の領域にわたって +/- 1.5% 以内に維持されます。

Q: システムは反応性蒸発プロセスに対応できますか?

A: はい。統合されたマスフロー コントローラー (MFC) は、反応性酸化物および窒化物膜の形成のために酸素、窒素、またはアルゴンを注入します。

Q: 現場で準備する必要があるユーティリティ要件は何ですか?{0}}

A: The system requires a dedicated 3-phase power supply (380V/480V, 50/60 Hz), chilled water (>40 L/min、20 +/- 2 ℃)、圧縮空気(0.4 ~ 0.6 MPa)、粗引きポンプ排気ライン。

Q: 通常のリードタイムはどれくらいですか?

A: 標準構成は 12 ~ 16 週間で出荷されます。ロード ロックまたは特殊なチャンバーを備えたカスタム システムの場合、FAT への図面承認から 20 ~ 26 週間かかります。

 

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